Alimentatore in silicio policristallino 0~50V 0~5000A

Descrizione del prodotto:

Specifiche:

Parametri di ingresso: trifase, AC480V±10%, 60HZ

Parametri di uscita: CC 0~50V 0~5000A

Modalità di uscita: uscita CC comune

Metodo di raffreddamento: raffreddamento ad aria/raffreddamento ad acqua

Tipo di alimentazione: basato su IGBT

Industria applicativa: pressione e riduzione del forno di riduzione del silicio policristallino, crescita dei cristalli

Dimensioni del prodotto: 87*82,5*196 cm

Peso netto: 460 kg

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Specifica
Tipo di rubinetto	Rubinetti del lavandino del bagno,
Tipo di installazione	Centro,
Fori di installazione	Un buco,
Numero di maniglie	Maniglia singola,
Fine	Ti-PVD,
Stile	Paese,
Portata	1,5 GPM (5,7 l/min) massimo,
Tipo di valvola	Valvola in ceramica,
Interruttore freddo e caldo	SÌ,
Dimensioni
Altezza totale	240 millimetri (9,5 "),
Altezza del beccuccio	155 mm (6,1 "),
Lunghezza del beccuccio	160 mm (6,3 "),
Centro del rubinetto	Foro singolo,
Materiale
Materiale del corpo del rubinetto	Ottone,
Materiale del beccuccio del rubinetto	Ottone,
Materiale della maniglia del rubinetto	Ottone,
Informazioni sugli accessori
Valvola inclusa	SÌ,
Scarico incluso	NO,
Pesi
Peso netto (kg)	0,99,
Peso di spedizione (kg)	1.17,

caratteristica

Parametri di input

Ingresso CA 480 V±10% trifase
Parametri di uscita

DC 0~50V 0~5000A regolabile in continuo
Potenza in uscita

250KW
Metodo di raffreddamento

raffreddamento ad aria forzata/raffreddamento ad acqua
PLC analogico

0-10 V/ 4-20 mA/ 0-5 V
Interfaccia

RS485/RS232
Modalità di controllo

progettazione del telecomando
Visualizzazione dello schermo

display digitale
Protezioni multiple

mancanza di fase surriscaldamento sovratensione sovracorrente cortocircuito
Modo di controllo

PLC/microcontrollore

Modello e dati

Numero del modello	Ondulazione in uscita	Precisione di visualizzazione corrente	Precisione della visualizzazione della tensione	Precisione CC/CV	Salita e discesa	Tiro eccessivo
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Applicazioni del prodotto

Il polisilicio è una forma di silicio elementare. Quando il silicio elementare fuso solidifica in condizioni di superraffreddamento, gli atomi di silicio sono disposti in numerosi nuclei cristallini sotto forma di un reticolo di diamante. Se questi nuclei cristallini crescono in grani con diversi orientamenti del piano cristallino, questi grani si combinano per cristallizzare in silicio policristallino.